【題目】如圖所示，某生產(chǎn)線上相互垂直的甲、乙傳送帶處于同一水平面，寬度均為d ，均以大小為v的速度運行，圖中虛線為傳送帶中線．一可視為質(zhì)點的工件從甲左端釋放，能以速度v由甲的右端滑上乙，滑至乙中線處時恰好相對乙靜止，設(shè)乙傳送帶表面粗糙程度處處相同．下列說法中正確的是( )
A. 工件在乙傳送帶上的痕跡為直線，痕跡長為
d
B. 工件從滑上乙到恰好與乙相對靜止所用的時間為
C. 工件與乙傳送帶間的動摩擦因數(shù)μ＝
D. 工件相對傳送帶滑動過程中的軌跡為
圓弧
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【題目】如圖所示的溫控電路中，R1為定值電阻，R2為半導(dǎo)體熱敏電阻（溫度越高電阻越小），C為電容器，電源內(nèi)阻不可忽略。當(dāng)環(huán)境溫度降低時下列說法正確的是
A. 電容器C的帶電量增大
B. 電壓表的讀數(shù)減小
C. 干路電流增大
D. R1消耗的功率變大
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【題目】如圖所示，以坐標(biāo)原點
為圓心，半徑為
的圓與坐標(biāo)軸交于
、
、
、
．在點固定一個正電荷
，另外還有一方向與
軸正方向相同，場強大小為
的勻強電場．現(xiàn)把一點電荷
在圓上移動時，則（ ）
A. 從移到電場力對
做功為
B. 從移到電場力對不做功
C. 從移到電場力對做功為
D. 從移到電場力對不做功
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【題目】帶有等量異號電荷、相距10cm的平行板A和B間有一個勻強電場如圖所示，電場強度
，方向向下．電場中C點距B板3cm，D點距A板2cm．
（1）求CD兩點間的電勢差，
（2）如果令B板接地（即電勢
），則C的電勢是多少？D的電勢是多少？一個電子在D點的電勢能為多少？
（3）一個電子從C點移動到D點，靜電力做功為多少？如果使電子先移到P點，再移到D點，靜電力做的功將為多少？
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【題目】物體A的質(zhì)量
，靜止在光滑水平面上，平板車B的質(zhì)量為
、長
某時刻A以
向右的初速度滑上木板B的上表面，在A滑上B的同時，給B施加一個水平向右的拉力
忽略物體A的大小，已知A與B之間的動摩擦因數(shù)
，取重力加速度
，試求：
（1）若
，物體A在小車B上相對小車B滑行的時間和最大距離；
（2）如果要使A不至于從B上滑落，拉力F的大小應(yīng)滿足的條件．
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【題目】用控制變量法,可以研究影響平行板電容器電容的因素(如圖所示).設(shè)兩極板正對面積為S,極板間的距離為d,靜電計指針偏角為θ.實驗中,極板所帶電荷量不變,則下列說法正確的是( )
A. 保持S不變,增大d,則θ變大
B. 保持S不變,增大d,則θ變小
C. 保持d不變,減小S,則θ變小
D. 保持d不變,減小S,則θ不變
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【題目】如圖所示直線A為某電源的U﹣I圖線，曲線B為某小燈泡L1的U﹣I圖線的一部分，用該電源和小燈泡L1串聯(lián)起來組成閉合回路時燈泡L1恰能正常發(fā)光，則下列說法中正確的是（ ）
A. 此電源的內(nèi)電阻為0.67Ω
B. 燈泡L1的額定電壓為3V，額定功率為6W
C. 把燈泡L1換成阻值恒為1Ω的純電阻，電源的輸出功率將變小，效率將變低
D. 由于小燈泡L1的U﹣I 圖線是一條曲線，所以燈泡發(fā)光過程中歐姆定律不適用
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【題目】對于場強，本節(jié)出現(xiàn)了
和
兩個公式，下列認識正確的是
A. q表示場中的檢驗電荷，Q表示場源電荷
B. E隨q的增大而減小，隨Q的增大而增大
C. 第一個公式適用于包括點電荷在內(nèi)的所有場源的電場求場強，且E的方向和F一致
D. 從第二個公式看，拿走Q后，E就不存在了
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【題目】某“太空粒子探測器”是由加速、偏轉(zhuǎn)和探測三部分裝置組成，其原理可簡化如下：如圖所示，沿半徑方向的加速電場區(qū)域邊界AB、CD為兩個同心半圓弧面，圓心為O1，外圓弧面AB電勢為φ1，內(nèi)圓弧面電勢為φ2；在O1點右側(cè)有一與直線CD相切于O1半徑為R的圓，圓心為O2，圓內(nèi)（及圓周上）存在垂直于紙面向外的勻強磁場；MN是一個足夠長的粒子探測版，與O1O2連線平行并位于其下方3R處；假設(shè)太空中漂浮著質(zhì)量為m，電荷量為q的帶正電粒子，它們能均勻地吸附到AB圓弧面上，并被加速電場從靜止開始加速到CD圓弧面上，再由O1點進入磁場偏轉(zhuǎn)，最后打到探測版MN(不計粒子間的相互作用和星球?qū)αＷ右Φ挠绊?/span>)，其中沿O1O2連線方向入射的粒子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后恰好從圓心O2的正下方G點射出磁場；
（1）求粒子聚焦到O1點時速度的大小及圓形磁場的磁感應(yīng)強度大小B0；
（2）從圖中P點（PO1與O1O2成300夾角）被加速的粒子打到探測版上Q點（圖中未畫出），求該粒子從O1點運動到探測板MN所需的時間；
（3）若每秒打在探測版上的離子數(shù)為N，打在板上的離子數(shù)60％被吸收，40％被反射，彈回速度大小為打板前速度大小的0.5倍，求探測板受到的作用力的大小.
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