Question

【題目】請回答下列問題：
（1）N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數據如下：

電離能 I1 I2 I3 I4 …

In/kJ．mol﹣1 578 1817 2745 11578 …

則該元素是（填寫元素符號）．
（2）基態鍺（Ge）原子的電子排布式是 ． Ge的最高價氯化物分子式是 ． 該元素可能的性質或應用有 ．
A．是一種活潑的金屬元素 B．其電負性大于硫 C．其單質可作為半導體材料 D．其最高價氯化物的沸點低于其溴化物的沸點
（3）關于化合物 ， 下列敘述正確的有 ．
A.分子間可形成氫鍵
B.分子中既有極性鍵又有非極性鍵
C.分子中有7個σ鍵和1個π鍵
D.該分子在水中的溶解度大于2﹣丁烯
（4）NaF的熔點 的熔點（填＞、=或＜），其原因是 ．

Answer 1

【答案】
（1）Al
（2）1s22s22p63s23p63d104s24p2；GeCl4；CD
（3）B,D
（4）＞；兩者均為離子化合物，且電荷數均為1，但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點較低
【解析】解：（1）從表中原子的第一至第四電離能可以看出，元素的第一、第二、第三電離能都較小，可失去3個電子，最高化合價為+3價，即最外層應有3個電子，應為鋁元素，所以答案是：Al；（2）鍺是32號元素，核外有32個電子，基態鍺（Ge）原子原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p2 ，
所以答案是：1s22s22p63s23p63d104s24p2；
Ge的最高價為+4價，氯化物分子式是GeCl4；
所以答案是：GeCl4；
A．Ge是一種金屬元素，但最外層電子數為4，金屬性不強，故A錯誤；
B．硫的其電負性大于硅，硅的電負性大于鍺，所以鍺的電負性小于硫，故B錯誤；
C．鍺單質是一種半導體材料，故C正確；
D．氯化鍺和溴化鍺都是分子晶體，但氯化鍺的相對分子質量小于溴化鍺，所以氯化鍺沸點低于溴化鍺的沸點，
故選：CD；（3）A．分子中不存在與電負性強的元素相連的氫原子，所以不存在氫鍵，故A錯誤；
B．分子中碳碳鍵是非極性鍵，碳氫鍵、碳氧鍵是極性鍵，故B正確；
C．1個單鍵是1個σ鍵，一個雙鍵是1個σ鍵和1個π鍵，所以分子中有9個σ鍵和3個π鍵，故C錯誤；
D．根據醛基比甲基更溶于水，所以分子中兩個甲基被醛基取代，溶解度增大，故D正確；
故選：BD；（4）兩者均為離子化合物，且電荷數均為1，但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點較低，
所以答案是：＞；兩者均為離子化合物，且電荷數均為1，但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點較低．