Question

【題目】太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨向于微型化、薄膜化。最新產(chǎn)品是銅鎵(Ga)硒(Se)等化合物薄膜太陽(yáng)能電池和Si系薄膜太陽(yáng)能電池。完成下列填空：

（1）Cu＋基態(tài)時(shí)的電子排布式_________；1mol配合離子[Cu(NH3)2]+ 中，含有σ鍵數(shù)目為__________。

（2）已知硼元素與鎵元素處于同一主族，BF3分子的空間構(gòu)型為_____。

（3）與硒同周期相鄰的元素為砷和溴，則這三種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?/span>_______（用元素符號(hào)表示），H2Se的沸點(diǎn)比H2O的沸點(diǎn)低，其原因是___________。

（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂結(jié)構(gòu)；在晶體中，每個(gè)Si原子周圍最近的C原子數(shù)目為_____。

Answer 1

【答案】1s22s22p63s23p63d10 8mol或8×6.02×1023 平面正三角形 Br＞As＞Se H2O分子間存在氫鍵 4

【解析】

（1）銅是29號(hào)元素，銅原子失去4s一個(gè)電子變成亞銅離子；配合離子[Cu（NH3）2]+中生成2個(gè)配位鍵，氨氣分子之間形成3個(gè)σ鍵，配離子中含有8個(gè)σ鍵；

（2）BF3分子中B原子孤電子對(duì)數(shù)=（3-1×3）/2=0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+0=3；

（3）同周期隨原子序數(shù)增大，元素第一電離能呈增大趨勢(shì)，As元素原子4p軌道為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的；

H2O分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)高于硫化氫的；

（4）以頂點(diǎn)Si原子研究，與之最近的Si原子處于面心，每個(gè)頂點(diǎn)為8個(gè)晶胞共用，每個(gè)面心為2個(gè)晶胞共用．

（1）銅是29號(hào)元素，銅原子失去4s一個(gè)電子變成亞銅離子，基態(tài)銅離子（Cu＋）的電子排布式為：1s22s22p63s23p63d10 ，配合離子[Cu（NH3）2]+中生成2個(gè)配位鍵，氨氣分子之間形成3個(gè)σ鍵，配離子中含有8個(gè)σ鍵，則1mol配合離子[Cu（NH3）2]+中，含有σ鍵數(shù)目為8mol或8×6.02×1023 ；

（2）BF3分子中B原子孤電子對(duì)數(shù)=（3-1×3）/2=0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+0=3，空間結(jié)構(gòu)為平面正三角形；

（3）同周期隨原子序數(shù)增大，元素第一電離能呈增大趨勢(shì)，As元素原子4p軌道為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故第一電離能：Br＞As＞Se；

H2O分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)高于硫化氫；

（4）以頂點(diǎn)Si原子研究，與之最近的Si原子處于面心，每個(gè)頂點(diǎn)為8個(gè)晶胞共用，每個(gè)面心為2個(gè)晶胞共用，故每個(gè)Si原子周圍最近的Si原子數(shù)目為3×8/2=12。