Question

【題目】現(xiàn)有部分前四周期元素的性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表：

(1)B單質(zhì)分子中，含有________個(gè)鍵和__________個(gè)鍵，元素B的氣態(tài)氫化物的空間型為________________。

(2)C單質(zhì)的熔點(diǎn)____________A單質(zhì)的熔點(diǎn)(填“高于”或“低于”)，其原因是：_______________

(3)寫出元素D基態(tài)原子的電子排布式：______________________。

Answer 1

【答案】1 2 三角錐形 低于 Cl2晶體屬于分子晶體，Si晶體屬于原子晶體，原子晶體中原子之間以很強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合，而分子晶體中分子間以較弱的分子間作用力結(jié)合，因而原子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的熔點(diǎn)高 1s22s22p63s23p63d54s1

【解析】

根據(jù)信息A為第三周期中的半導(dǎo)體材料，得出A為Si；B的L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1，得出B為N；同一周期，元素原子對(duì)應(yīng)的第一電離能有增大的趨勢(shì)，則根據(jù)C在第三周期主族元素中其第一電離能最大，推出該元素為Cl；D在前四周期中其未成對(duì)電子數(shù)最多，所以為Cr。

A為第三周期中的半導(dǎo)體材料，得出A為Si；B的L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1，即電子排布式為1s22s22p3，得出B為N元素；C在第三周期主族元素中其第一電離能最大，為Cl；D在前四周期呀中其未成對(duì)電子數(shù)最多，即M層d能級(jí)半滿，N層s能級(jí)半滿，即電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，所以該元素為Cr。

（1）B單質(zhì)分子為氮?dú)猓�分子�?nèi)為氮氮三鍵，則含有1個(gè)鍵和2個(gè)鍵；其氣態(tài)氫化物為NH3，空間構(gòu)型為三角錐形，

故答案為：1；2；三角錐形；

（2）C單質(zhì)為Cl2，其晶體類型為分子晶體；A單質(zhì)為Si，其晶體屬于原子晶體，因原子晶體中原子之間以很強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合，而分子晶體中分子間以較弱的分子間作用力結(jié)合，所以C單質(zhì)（Cl2）的熔點(diǎn)低于A單質(zhì)（Si）的熔點(diǎn)，

故答案為：低于；Cl2晶體屬于分子晶體，Si晶體屬于原子晶體，原子晶體中原子之間以很強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合，而分子晶體中分子間以較弱的分子間作用力結(jié)合，因而原子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的熔點(diǎn)高；

（3）D在前四周期中，其未成對(duì)電子數(shù)最多，即M層d能級(jí)半滿，N層s能級(jí)半滿，即其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，

故答案為：1s22s22p63s23p63d54s1。