已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發生如圖所示的轉化，反應中部分生成物已略去。其中，A、G為同一主族元素的單質，B、C、H在通常情況下為氣體，化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。
請完成以下填空：
（1）H的名稱是________。
（2）E的兩種用途是________、________。
（3）反應③的化學方程式是________。
（4）反應④的離子方程式是________。
科目：高中化學 來源： 題型：填空題
某含氯化合物A由兩種短周期元素組成，常溫下該物質為氣態，測得該氣體對空氣的相對密度為3.0，A溶于水可得只含單一溶質B的弱酸性溶液，B溶液在放置過程中其酸性會增強。常溫下，氣體A與NH3反應生成離子晶體C、氣體單質D和常見液體E，D為空氣中含量最多的物質。氣體A可用某一氣體單質與潮濕的Na2CO3反應制得，同時生成兩種鈉鹽。請回答下列問題：
（1）氣體A的化學式為 ，氣體單質D對應元素在周期表中的位置為 。
（2）用化學方程式表示B溶液酸性增強的原因 。
（3）氣體A與NH3反應的化學方程式為 ，該反應體現氣體A具有 性。
（4）試寫出制取氣體A的化學方程式為 。
（5）設計實驗探究離子晶體C的成分為 。
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科目：高中化學 來源： 題型：填空題
某同學對Cl2與KI溶液的反應進行了實驗探究。反應裝置如下：
通入氯氣一段時間，KI溶液變為黃色。繼續通入氯氣一段時間后，溶液黃色褪去，變為無色。繼續通入氯氣，最后溶液變為淺黃綠色。
（1）已知I2＋I－
I3－ ，I2、I3－在水中均呈黃色。為確定黃色溶液的成分，進行了以下實驗。
| | 操作 | 實驗現象 |
| a | 取2~3 mL黃色溶液，加入足量CCl4， 振蕩靜置。 | CCl4層呈紫紅色， 水層顯淺黃色。 |
| b | 取2~3 mL飽和碘水，加入足量CCl4， 振蕩靜置。 | CCl4層呈紫紅色，水層幾近無色。 |
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科目：高中化學 來源： 題型：填空題
某研究性學習小組設計兩套實驗方案制備氨氣并探究其還原性(部分夾持裝置已省略)。
甲方案：如圖所示。
乙方案：如圖所示。
根據方案回答下列問題：
(一)甲方案
(1)B裝置盛裝堿石灰，A裝置中藥品可以是 。
a．氯化銨固體和燒堿 b．碳酸氫銨固體
c．氯化銨固體 d．硫酸銨和熟石灰
(2)實驗完畢后，設計簡單實驗檢驗D試管收集到的物質(簡述操作過程、現象和結論) 。
(3)寫出C中發生反應的化學方程式 。
(二)乙方案
(4)A為濃氨水，B為生石灰，簡述實驗原理： 。E裝置里盛裝的藥品是 。
(5)能證明氨氣具有還原性的實驗現象 。(任寫兩條)
(6)銅有＋2價、＋1價、0價，根據氧化還原反應原理，D玻璃管里還原產物除銅外，還可能有 ，假設有銅以外的還原產物生成，寫出D中發生反應的化學方程式： 。
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科目：高中化學 來源： 題型：填空題
組同學發現84消毒液與潔廁劑(主要成分為鹽酸)室溫下混和有Cl2生成，于是嘗試在實驗室利用該反應原理制取Cl2。
（1）若用次氯酸鈣、濃鹽酸為原料，利用下圖裝置制取Cl2。裝置中儀器a的名稱為 。甲同學想證明Cl2溶于水有酸性物質生成，將發生裝置產生的氣體直接通入適量水中，并加入NaHCO3粉末，有無色氣泡產生。乙同學認為不合理，理由是 。又知：室溫下H2CO3的電離常數K1=4．2×10-7，K2=5．6×10-11，則pH為8．0的NaHCO3溶液中[CO32-]：[HCO3-]= 。
（2）經查閱資料得知：無水FeCl3在空氣中易潮解，加熱易升華。設計如下裝置制備無水FeCl3。
①下列操作步驟的正確排序為 (填字母)。
| A．體系冷卻后，停止通入Cl2 |
| B．通入干燥的Cl2趕盡裝置中的空氣 |
| C．在鐵屑下方加熱至反應完成 |
| D．用干燥的H2趕盡Cl2 |
NaClO3+3H2
，+Cl2+2NaCl+2H2O。| 物質 | 熔點／℃ | 沸點／℃ |
| C1O2 | -59 | 11 |
| Cl2 | -107 | -34.6 |
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科目：高中化學 來源： 題型：填空題
獲取知識和信息是現代人不可缺少的素質，信息產業的飛速發展離不開材料科學的推動。信息產業的核心材料是高純度的硅，單晶硅可用來制作大規模集成電路、整流器等，硅純度越高，大規模集成電路的性能就越好。高純度的單晶硅生產方法有：
方法一：三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產過程示意圖如下：
方法二：用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷，再熱分解硅烷可得高純硅。
根據上述信息回答以下問題：
(1)從方法一生產單晶硅的過程看，由焦炭還原得到的硅為何還要進一步處理？_________________________________________________________。
(2)寫出方法二中生產高純硅的兩個化學方程式：
①____________________________________________________________；
②__________________________________________________________。
(3)寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學方程式：____________________________________。
(4)在方法一中，整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質，寫出配平的化學反應方程式：________________；H2還原SiHCl3過程中若混入O2，可能引起的后果是_____________________________________________________。
(5)比較方法一和方法二，分析一下各自的優缺點____________________________________。
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科目：高中化學 來源： 題型：填空題
硅在地殼中的含量較高，硅及其化合物的開發由來已久，在現代生活中有廣泛應用。回答下列問題：
（1）陶瓷、水泥和玻璃是常用的傳統的無機非金屬材料，其中生產普通玻璃的主要原料有 。
（2）高純硅是現代信息、半導體和光伏發電等產業都需要的基礎材料。工業上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應如下：
①工業上用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱到1600℃-1800℃除生成粗硅外，也可以生產碳化硅，則在電弧爐內可能發生的反應的化學方程式為 。
②在流化床反應的產物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，粗硅生成SiHCl3的化學反應方程式 。
（3）有關物質的沸點數據如下表，提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和 ；SiHCl3極易水解，其完全水解的產物為 。
| 物質 | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
| 沸點/℃ | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
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科目：高中化學 來源： 題型：填空題
某試劑廠用銀（含雜質銅）和硝酸（含雜質Fe3+）反應制取硝酸銀。步驟如下
依據上述步驟，完成下列填空：
（1）溶解銀的硝酸應該用________硝酸（填“濃”或“稀”）。原因是________ （填序號，下同）
a.減少過程中產生NOx的量
b.減少原料銀的消耗量
c.節省硝酸的物質的量
（2）步驟B加熱保溫的作用是________。
a.有利于加快反應速率
b.有利于未反應的硝酸揮發
c.有利于硝酸充分反應，降低溶液中c（H+）
（3）步驟C中是為了除去Fe3+、Cu2+等雜質，沖稀靜置時發生的化學反應是________。
a.置換反應
b.水解反應
c.氧化還原反應
產生的沉淀物化學式________。
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科目：高中化學 來源： 題型：填空題
工業上利用氨催化氧化后，經過一系列反應可以制備硝酸。
（1）氨氣催化氧化的化學方程式為 _
（2）某工廠排出的尾氣中NOx的含量為0．56%（體積分數），用氨氣可以將其轉化為無害氣體，發生的反應為：6NOx+4xNH3=（3+2x）N2+6xH2O 若處理1×
L（標準狀況）該尾氣需42.5gNH3，則x= _ 。
（3）NO和CO都是汽車尾氣中的有害物質，必須進行處理。為避免污染，常給汽車安裝尾氣凈化裝置。凈化裝置里裝有催化劑，氣體在催化劑表面吸附與解吸作用的機理如圖所示。寫出凈化過程中的總化學反應方程式： 。
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CO2↑＋2SO2↑＋2H2O
