Question

有A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數依次增大．A、D 都能分別與B按原子個數比為1：1 或2：1形成化合物；AC可與EB₂反應生成A₂B與氣態物質EC₄；E的M層電子數是K層電子數的2倍．
（1）畫出E的原子結構示意圖

；寫出電子式D₂B₂

；寫出化學式EC₄

SiF₄

．
（2）比較EB₂與EC₄的沸點高低（填化學式）

SiO₂

＞

SiF₄

．
（3）用電子式表示化合物DC的形成過程

．

Answer 1

分析：A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數依次增大，A、D 都能分別與B按原子個數比為1：1 或2：1形成化合物，則A為H，B為O，D為Na；E的M層電子數是K層電子數的2倍，則E的質子數為14，即E為Si；AC可與EB₂反應生成A₂B與氣態物質EC₄，該反應為4HF+SiO₂═2H₂O+SiF₄↑，則C為F，然后利用元素及其單質、化合物的性質來解答．

解答：解：A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數依次增大，A、D 都能分別與B按原子個數比為1：1 或2：1形成化合物，則A為H，B為O，D為Na；E的M層電子數是K層電子數的2倍，則E的質子數為14，即E為Si；AC可與EB₂反應生成A₂B與氣態物質EC₄，該反應為4HF+SiO₂═2H₂O+SiF₄↑，則C為F，
（1）E為Si，質子數為14，最外層電子數為4，原子結構示意圖為，D₂B₂為Na₂O₂，電子式為，
EC₄為SiF₄，故答案為：；；SiF₄；
（2）SiO₂為原子晶體，熔沸點較高，SiF₄為分子晶體，熔沸點較低，沸點SiO₂＞SiF₄，故答案為：SiO₂；SiF₄；
（3）NaF為離子化合物，形成過程為，故答案為：．

點評：本題考查原子結構、元素周期律、元素的性質，熟悉元素形成的常見化合物是解答本題的關鍵，注意二氧化硅的特性來解答．