Question

【題目】工業上可用粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質)與干燥的HCl氣體反應制得SiHCl3：Si+3HCl=SiHCl3+H2，SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應制得純硅。

有關物質的物理常數見下表：

物質	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	SiHCl3	PCl5
沸點/℃	57.7	12.8	—	315	33.0	—
熔點/℃	-70.0	-107.2	—	—	-126.5	—
升華溫度/℃	—	—	180	300		162

（1）粗硅與HCl反應完全后，經冷凝得到的SiHCl3中含有少量SiCl4，提純SiHCl3可采用

___________的方法

（2）實驗室也可用SiHCl3與過量干燥的H2反應制取純硅，裝置如下圖所示（加熱和夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是___________，裝置C需水浴加熱，目的是 ____________________。

②反應一段時間后，裝置D中可觀察到有晶體硅生成，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_____________。

Answer 1

【答案】 蒸餾 濃硫酸 使SiHCl3氣化，與氫氣反應 SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化

【解析】(1)根據題示的數據可知，可以利用沸點的不同提純SiHCl3，操作為蒸餾，故答案為：蒸餾；

(2)①生成的氫氣中含有水蒸氣，進入裝置D之前需要干燥，裝置B中的試劑可以干燥氫氣，濃硫酸是常用的干燥劑，因此裝置B中的試劑是濃硫酸，裝置C需水浴加熱，目的是使SiHCl3汽化，在D中與氫氣反應，故答案為：濃硫酸；使SiHCl3氣化，與氫氣反應；

②SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化，故答案為：SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化。