Question

【題目】無限長通電直導(dǎo)線在周圍某一點(diǎn)產(chǎn)生的磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小與電流成正比，與導(dǎo)線到這一點(diǎn)的距離成反比，即(式中k為常數(shù))．如圖所示，兩根相距L的無限長直導(dǎo)線分別通有電流I和3I.在兩根導(dǎo)線的連線上有a、b兩點(diǎn)，a點(diǎn)為兩根直導(dǎo)線連線的中點(diǎn)，b點(diǎn)距導(dǎo)線I的距離為L.下列說法正確的是(　　)

A. a點(diǎn)和b點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向相同

B. a點(diǎn)和b點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向相反

C. a點(diǎn)和b點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小之比為8:1

D. a點(diǎn)和b點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小之比為16:1

【答案】AD

【解析】解：AB、根據(jù)右手螺旋法則，導(dǎo)線周圍的磁場的磁感線，是圍繞導(dǎo)線形成的同心圓，3I導(dǎo)線與I導(dǎo)線在a處的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向都向下，則合磁感應(yīng)強(qiáng)度方向向下的；根據(jù)B=K，3I導(dǎo)線在b處的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向向下，而I導(dǎo)線在b處的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向向上，因3I導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場較大，則合磁感應(yīng)強(qiáng)度方向向下，因此a點(diǎn)和b點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向相同，故A正確，B錯(cuò)誤；

CD、3I導(dǎo)線與I導(dǎo)線在a處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小Ba=K+K=K，

而3I導(dǎo)線與I導(dǎo)線在b處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小Bb=K﹣K=K，則a點(diǎn)和b點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小之比為16：1，故C錯(cuò)誤，D正確．

故選：AD．

【點(diǎn)評(píng)】磁感應(yīng)強(qiáng)度為矢量，合成時(shí)要用平行四邊形定則，因此要正確根據(jù)安培定則判斷導(dǎo)線周圍磁場方向是解題的前提．

【題型】單選題
【結(jié)束】
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【題目】制造納米薄膜裝置的工作電極可簡化為真空中間距為d的兩平行金屬板，如圖甲所示，加在A、B間的電壓UAB做周期性變化，其正向電壓為U0，反向電壓為-kU0(k≥1)，電壓變化的周期為2T，如圖乙所示．在t＝0時(shí)，有一個(gè)質(zhì)量為m、電荷量為e的電子以初速度v0垂直電場方向從兩極板正中間射入電場，在運(yùn)動(dòng)過程中未與極板相撞，且不考慮重力的作用，則下列說法中正確的是(　　)

A. 若且電子恰好在2T時(shí)刻射出電場，則應(yīng)滿足的條件是

B. 若k＝1且電子恰好在4T時(shí)刻從A板邊緣射出電場，則其動(dòng)能增加

C. 若且電子恰好在2T時(shí)刻射出電場，則射出時(shí)的速度為

D. 若k＝1且電子恰好在2T時(shí)刻射出電場，則射出時(shí)的速度為v0

Answer 1

【答案】AD

【解析】豎直方向，電子在0～T時(shí)間內(nèi)做勻加速運(yùn)動(dòng)，加速度的大小，位移，在T～2T時(shí)間內(nèi)先做勻減速運(yùn)動(dòng)，后反向做勻加速運(yùn)動(dòng)，加速度的大小，初速度的大小v1=a1T，勻減速運(yùn)動(dòng)階段的位移，由題知，解得 ，A正確；若k=1且電子恰好在4T時(shí)刻從A板邊緣射出電場，電場力做功為零，動(dòng)能不變，B錯(cuò)誤；若k= 且電子恰好在2T時(shí)刻射出電場，垂直電場方向速度為v0，射出時(shí)的速度為，C錯(cuò)誤；若k=1，電子在射出電場的過程中，沿電場方向的分速度方向始終不變，D正確．