Question

【題目】下面的排序不正確的是( )

A. 晶體熔點(diǎn)由低到高:

B. 熔點(diǎn)由高到低:

C. 硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅

D. 晶格能由大到小:

Answer 1

【答案】B

【解析】

晶體熔沸點(diǎn)高低比較的一般規(guī)律是：原子晶體，熔沸點(diǎn)大小和共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)系；金屬晶體中，形成金屬鍵的金屬陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高；分子晶體中形成分子晶體的分子間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高；離子晶體中形成離子鍵的離子半徑越小，電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。

A.A中都是分子晶體，熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)系，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，因相對分子質(zhì)量CF4<CCl4<CBr4<CI4，則晶體熔點(diǎn)由低到高為：CF4<CCl4<CBr4<CI4，故A排序正確；

B.該組中均為金屬晶體，因離子半徑Na+<Mg2+<Al3+，且離子所帶電荷Na+<Mg2+<Al3+，則熔點(diǎn)由低到高為：Na<Mg<Al，故B排序錯(cuò)誤；

C.因原子半徑C>Si，則鍵能C-C>C-Si>Si-Si，硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅，故C排序正確；

D.因Mg2+、Ca2+、O2-所帶的電荷數(shù)較Na+、 F-、Cl-多，陰陽離子間的晶格能較大，且半徑Mg2+>Ca2+、F->Cl-，則有晶格能由大到小為：MgO>CaO>NaF>NaCl，故D排序正確；

答案選B。