【題目】下列有關物質的性質和應用對應關系正確的是
A.蘇打溶液呈弱堿性，可用作胃酸中和劑
B.氧化鋁熔點高，常用于耐高溫材料
C.SO2有漂白、殺菌性能，可在食品加工中大量使用
D.晶體硅熔點高、硬度大，是制造太陽能電池和計算機芯片的主要材料
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】下列表述正確的是（ ）
A. 氧化鐵是一種堿性氧化物，常用作紅色油漆和涂料
B. 在醫療上碳酸鈉、氫氧化鋁均可用于治療胃酸過多
C. Na2O2與水反應，紅熱的Fe與水蒸氣反應均能生成堿
D. 人造剛玉熔點很高，可用作高級耐火材料，主要成分是SiO2
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】在400℃、101 kPa時，NO2(g) ＋CO(g) 
NO(g) + CO2(g) 反應過程的能量變化如下圖所示。
反應過程
(1)該反應是_____________（填“吸熱”或“放熱”）反應。
(2)該反應的熱化學方程式為_____________。
(3)改變下列條件都可使該反應的反應速率改變，其中通過降低活化能加快反應速率的是_____________。
a．濃度 b．壓強 c．溫度 d．催化劑
(4)反應體系中加入催化劑對反應熱是否有影響？____（填“是”或“否”），原因是____。
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【題目】草酸鈷是制作氧化鈷和金屬鈷的原料，一種利用含鈷廢料（主要成分為Co2O3，含少量Fe2O3、ZnO、Al2O3、CaO、MgO、碳及有機物等）制取CoC2O4的工藝流程如下：
已知：ZnO與Al2O3化學性質相似，既能溶于強酸又能溶于強堿
（1）“550℃焙燒”的目的是______________________；
（2）“浸出液”的主要成分是_____________________；
（3）“鈷浸出”過程中Co3+轉化為Co2+，反應的離子方程式為_____________________；
（4） “凈化除雜1”過程中，先在40 ~ 50℃加入H2O2，其作用是____________________ (用離子方程式表示）；再升溫至80~85℃，加入___________溶液，調pH至4.5以達到凈化除雜的目的。
（5）“凈化除雜2”過程中，若溶液c(Ca2+)=0.01mol/L，使Mg2+恰好沉淀完全即溶液中c(Mg2+)=1.0×10-5mol/L，此時是否有CaF2沉淀生成________________？（列式計算）[已知Ksp(MgF2) =7.0×10-11、Ksp(CaF2) =1.0×10-10]。
（6）為測定制得樣品的純度，現稱取1.000g樣品，將其用適當試劑轉化，得到草酸銨[(NH4)2C2O4]溶液，再用過量稀硫酸酸化，用0. 1000 mol/L KMnO4溶液滴定，達到滴定終點時，共用去KMnO4溶液26.00 mL，則草酸鈷樣品的純度為__________________。
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【題目】[2017北京]羥甲香豆素是一種治療膽結石的藥物，合成路線如下圖所示：
已知：
RCOOR'+R'OH
RCOOR'+ R'OH（R、R'、R'代表烴基）
（1）A屬于芳香烴，其結構簡式是______________________。B中所含的官能團是________________。
（2）C→D的反應類型是___________________。
（3）E屬于脂類。僅以乙醇為有機原料，選用必要的無機試劑合成E，寫出有關化學方程式：__________。
（4）已知：2E
F+C2H5OH。F所含官能團有
和___________。
（5）以D和F為原料合成羥甲香豆素分為三步反應，寫出有關化合物的結構簡式：
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【題目】在恒溫、容積為2 L的密閉容器中充入2 mol SO2和一定量O2。發生反應2SO2＋O2 
2SO3，當反應進行到4 min時，測得n (SO2)＝0.4 mol。若反應進行到2 min時，容器中SO2的物質的量是
A. 等于1.6 mol B. 等于1.2 mol
C. 小于1.2 mol D. 大于1.6 mol
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【題目】元素單質及其化合物有廣泛用途，請根據周期表中第三周期元素相關知識回答下列問題：
（1）按原子序數遞增的順序（稀有氣體除外），以下說法正確的是________。
a.簡單離子的半徑先減小后增大，鹵素離子半徑最大
b.元素金屬性減弱，非金屬性增強
c.最高價氧化物對應的水化物堿性減弱，酸性增強
d.單質的熔點逐漸降低
（2）原子最外層電子數是次外層電子數一半的元素名稱為____，還原性最弱的簡單陰離子是____。
（3）已知：
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
類型 | 離子化合物 | 離子化合物 | 共價化合物 | |
熔點/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工業制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是________________________________，根據熔點推測Al2O3是___________化合物。
（4）晶體硅（熔點1410 ℃）是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：
Si（粗）
SiCl4
SiCl4（純）
Si（純）
寫出SiCl4的電子式：_____________，在上述由SiCl4（g）制純硅的反應中，測得每生成0.56 kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：_____________________________________________。
（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，但可用P2O5干燥的是_________。
a．HI b．NH3 c．SO2 d．CO2
（6）KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數比為1∶1。寫出該反應的化學方程式：_______________________________。
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【題目】在下列各說法中，正確的是
A. 對于2SO2(g)+O2(g) 
2SO3(g) ΔH=－Q kJ·mol－1，(Q＞0)，若反應中充入1mol SO2和足量的氧氣反應時，放出的熱量一定是Q/2 kJ
B. 熱化學方程式中的化學計量數不能用分數表示
C. Zn(s)+H2SO4(aq) ===ZnSO4(aq)+H2(g) ΔH＜0，該反應的化學能可以轉化為電能
D. ΔH的大小與熱化學方程式的化學計量數無關
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