Question

【題目】砷化鎵(GaAs)是優良的半導體材料或用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。部分元素在周期表中位置如下:

A1	Si	P
Ga	Ge	As

回答下列問題:

（1）六種元素中，非金屬性最強的元素是:________.寫出As原子的最外層的電子排布式_________,As原子核外有_____個未成對電子。

（2）根據元素周期律，可判斷原子半徑Ga_____As。(選填“>”、“<”或“=”)。寫出鋁的最高價氧化物對應水化物的電離方程式:________________

（3）NH3的分子構型是_______。GaF3的熔點高于1000°C,GaCl3的熔點為77.9°C,可能的原因是_______.寫出C2H2的電子式為:_________

（4）比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規律及原因___________

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔點/°C	-49.5	26	146
沸點/°C	83.1	186	約400

Answer 1

【答案】 P 4s24p3 3 ＞ H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH– 三角錐形 GaF3 是離子晶體， GaCl3是分子晶體 GeCl4、 GeBr4、 GeI4的熔沸點依次上升。因為其組成和結構相似的物質，都是分子晶體，隨分子量增大，范德華力增大，熔沸點上升

【解析】(1)同一主族，從上到下，非金屬性減弱；同一周期，從左向右，非金屬性增強，非金屬性最強的是P元素；As為ⅤA族33號元素，電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s24p3，因此最外層的電子排布式為4s24p3，有3個未成對電子，故答案為：P；4s24p3；3；

(2)根據元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數小于As，故半徑Ga大于As，鋁的最高價氧化物對應水化物——氫氧化鋁的電離方程式為H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH–，故答案為：＞；H++AlO2–+H2OAl(OH)3 Al3++3OH–；

(3)NH3中價層電子對個數=σ鍵個數+孤電子對個數=3+=4，所以原子雜化方式是sp3，由于有一對孤對電子對，分子空間構型為三角錐形；GaF3 是離子晶體，GaCl3是分子晶體，使得GaF3 的熔點不GaCl3高很多；C2H2的電子式為，故答案為：三角錐形；GaF3 是離子晶體， GaCl3是分子晶體；；

(4)根據表格數據，GeCl4、 GeBr4、 GeI4的組成和結構相似，都是分子晶體，相對分子質量依次增大，范德華力增大，熔沸點上升，故答案為：GeCl4、 GeBr4、 GeI4的熔沸點依次上升。因為其組成和結構相似的物質，都是分子晶體，隨分子量增大，范德華力增大，熔沸點上升。