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【題目】化學與社會、生產、生活密切相關，下列說法正確的是

A．氫氧化鋁、氫氧化鈉都是常見的胃酸中和劑

B．海輪外殼鑲嵌鋅塊是利用犧牲陽極的陰極保護法

C．水泥、瑪瑙、分子篩都是硅酸鹽工業產品

D．明礬凈水時的作用是殺菌、消毒

【答案】B

【解析】

試題分析：A．氫氧化鈉為強堿，具有強烈的腐蝕性，不能用于治療胃酸過多，故A錯誤；B．利用犧牲陽極的陰極保護法防止鋼鐵腐蝕時，活潑性比Fe強的鋅作負極失電子被腐蝕，Fe作正極被保護，故B正確．C．水晶、瑪瑙的主要成分是二氧化硅，水泥、玻璃、青花瓷、分子篩都屬于硅酸鹽工業產品，故C錯誤；D．使用明礬只能加快水中不溶性固體小顆粒的沉降，不能消毒殺菌；故D錯誤。故選B。

練習冊系列答案

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相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】醇脫水是合成烯烴的常用方法，實驗室合成環己烯的反應和實驗裝置如下：

可能用到的有關數據如下：

合成反應：

在a中加入20g環己醇和2小片碎瓷片，冷卻攪動下慢慢加入1 mL濃硫酸。B中通入冷卻水后，開始緩慢加熱a，控制餾出物的溫度不超過90℃。

分離提純：

反應粗產物倒入分液漏斗中分別用少量5%碳酸鈉溶液和水洗滌，分離后加入無水氯化鈣顆粒，靜置一段時間后棄去氯化鈣。最終通過蒸餾得到純凈環己烯10g。

回答下列問題：

（1）裝置b的名稱是。

（2）加入碎瓷片的作用是；如果加熱一段時間后發現忘記加碎瓷片，應該采取的正確操作時（填正確答案標號）。

A．立即補加 B．冷卻后補加 C．不需補加 D．重新配料

（3）本實驗中最容易產生的副產物的結構簡式為。

（4）分液漏斗在使用前須清洗干凈并；在本實驗分離過程中，產物應該從分液漏斗的（填“上口倒出”或“下口放出”）。

（5）分離提純過程中加入無水氯化鈣的目的是。

（6）在環己烯粗產物蒸餾過程中，不可能用到的儀器有（填正確答案標號）。

A．蒸餾燒瓶

B．溫度計

C．吸濾瓶

D．球形冷凝管

E．接收器

（7）本實驗所得到的環己烯產率是（填正確答案標號）。

A．41% B．50% C．61% D．70%

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】將一定質量的鎂、銅合金加入到稀硝酸溶液中，兩者恰好完全反應，假設反應過程中還原產物全部是NO，向所得溶液中加入物質的量濃度為3 mol·L-1的NaOH溶液至沉淀完全，測得生成沉淀的質量比原合金的質量增加5.1g，則下列有關敘述中正確的是（）

A. 開始加入合金的質量可能為3.6g

B. 參加反應的硝酸的物質的量為0.1mol

C. 沉淀完全時消耗NaOH溶液的體積為100mL

D. 溶解合金時產生NO的體積為2.24L

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】硝酸銨廣泛應用與工農生產中，其生產流程圖如下，回答下列問題：

（1）在上述工業制硝酸的生產中，B設備的名稱是，在反應中的氧化產物是。

（2）此生產過程中，N2與H2合成NH3所用的催化劑是。在合成氨的設備(合成塔)中，設置熱交換器的目的是；在合成硝酸的吸收塔中通入空氣的目的是。

（3）科學家以氨(NH3)為燃料開發新型的燃料電池。電池中填充可傳導O2—離子的 MnO3固體電解質，電池總反應為：4NH3+3O2=2N2+6H2O。負極的電極反應式為。

（4）某化肥廠用NH3制備NH4NO3。已知：由NH3制NO的產率是96%、NO制HNO3的產率是92%，則制HNO3所用去的NH3的質量約占總耗NH3質量(不考慮其它損耗)的 %。(取兩位有效數字)

（5）硝酸銨是一種常用的氮肥，在使用該化肥時避免與堿性肥料一起使用，理由是。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列各組反應（表內物質均為反應物）剛開始時，放出H2的速率最大的是

編號	金屬（粉末狀）	酸的濃度	酸的體積	反應溫度
A	0.1mol Mg	6mol/L硝酸	10mL	60℃
B	0.1mol Mg	3mol/L鹽酸	10mL	30℃
C	0.1mol Fe	3mol/L鹽酸	10mL	60℃
D	0.1mol Mg	3mol/L鹽酸	10mL	60℃

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】已知：①C(s)＋1/2O2(g)＝CO(g)； △H＝－110.5 kJ·mol－1

②C(s)＋O2(g)＝CO2(g) ； △H＝－393.51 kJ·mol－1

則反應C(s)＋CO2(g)＝2CO(g)的△H為

A．－283.01 kJ·mol－1

B．＋172.51 kJ·mol－1

C．＋283.01 kJ·mol－1

D．－172.51 kJ·mol－1

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】砷化鎵（GaAs）是優良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：

（1）寫出基態As原子的最外層電子的電子排布圖________________________。

（2）根據元素周期律，原子半徑Ga______As，第一電離能Ga_____As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立體構型為____________________，其中As的雜化軌道類型為_________。

（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是_____________________。

（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm3，其晶胞結構如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質量分別為MGa g·mol1和MAs g·mol1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏加德羅常數值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________。