Question

【題目】A、B、C、D、E為原子序數依次增大的短周期主族元素，A與E同主族，E的單質是良好的半導體材料，D+核外電子排布與C2－相同。試回答（涉及到的物質均用化學式作答）：

（1）元素E在元素周期表中的位置是___________________。

（2）與元素D的簡單離子所含電子數和質子數都相同的微粒是____________（寫一個即可）。

（3）A、B和E最高價氧化物對應的水化物中，酸性最弱的是_________________（寫化學式）。若用如圖中裝置驗證這三種酸的酸性強弱，則在裝置A中應加入______（寫化學式），燒杯C觀察到的實驗現象是_____________________________。該實驗裝置存在不足，影響到實驗目的的達成，改進方法是_____________。

（4）B的最高價氧化物對應的水化物的稀溶液與B的氣態氫化物反應的化學方程式為_____________

（5）用電子式表示D2C的形成過程：_______________________________________________

Answer 1

【答案】第3周期ⅣA族 H3O+或NH4+ H2SiO3或H4SiO4 HNO3 生成白色沉淀 在B和C之間增加一個裝有飽和碳酸氫鈉溶液的洗氣瓶 HNO3 + NH3 === NH4NO3

【解析】

E的單質是良好的半導體材料，即E為Si，A與E同主族，即A為C，五種元素原子序數依次增大，且都為短周期主族元素，根據D＋和C2－核外電子排布相同，即D為Na，C為O，B為N，然后進行分析；

E的單質是良好的半導體材料，即E為Si，A與E同主族，即A為C，五種元素原子序數依次增大，且都為短周期主族元素，根據D＋和C2－核外電子排布相同，即D為Na，C為O，B為N，

（1）Si位于周期表中第三周期IVA族；

（2)D＋為Na＋，質子數為11，電子數為10，具有相同電子數和質子數的微粒是H3O＋、NH4＋等；

（3）三種元素最高價氧化物對應的水化物分別是H2CO3、HNO3、H2SiO3，酸性強弱順序是HNO3>H2CO3>H2SiO3，即酸性最弱的是H2SiO3或H4SiO4；根據三種酸的強弱順序，A為硝酸，B為碳酸鈉或碳酸氫鈉，C為硅酸鈉，燒瓶中發生2H＋＋CO32－=CO2↑＋H2O或H＋＋HCO3－=H2O＋CO2↑，C中發生反應：CO2＋SiO32－＋H2O=H2SiO3↓＋CO32－或2CO2＋SiO32－＋2H2O=H2SiO3↓＋2HCO3－，C中出現白色沉淀；因為HNO3揮發，B中產生CO2中混有HNO3，干擾CO2與Na2SiO3的反應，因此在B和C之間增加一個裝有飽和碳酸氫鈉溶液的洗氣瓶；

（4）B的最高價氧化物對應水化物是HNO3，B的氣態氫化物NH3，兩者發生化學方程式為NH3＋HNO3=NH4NO3；

（5）D2C為Na2O，屬于離子化合物，其形成過程：。