Question

【題目】工業(yè)上利用Ga與NH3高溫條件下合成固體半導(dǎo)體材料氮化稼(GaN)同時(shí)有氫氣生成。反應(yīng)中，每生成3molH2時(shí)放出30.8kJ的熱量。恒溫恒容密閉體系內(nèi)進(jìn)行上述反應(yīng)， 下列有關(guān)表達(dá)正確的是

A. I圖像中如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，則t時(shí)刻改變的條件可以為升溫或加壓

B. II圖像中縱坐標(biāo)可以為鎵的轉(zhuǎn)化率

C. III圖像中縱坐標(biāo)可以為化學(xué)反應(yīng)速率

D. IV圖像中縱坐標(biāo)可以為體系內(nèi)混合氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量

Answer 1

【答案】A

【解析】

A．I圖象中如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，升高溫度或增大壓強(qiáng)，反應(yīng)速率增大，圖象符合題意，A正確；

B．Ga是固體，沒有濃度可言，不能計(jì)算其轉(zhuǎn)化率，B錯(cuò)誤；

C．Ga是固體，其質(zhì)量不影響反應(yīng)速率，C錯(cuò)誤；

D．反應(yīng)方程式為2Ga（s）+2NH3（g）2GaN（s）+3H2（g）△H＜0，相同壓強(qiáng)下，升高溫度，平衡逆向移動(dòng)，平均相對(duì)分子質(zhì)量增大；相同溫度下，增大壓強(qiáng)，平衡逆向移動(dòng)，平均相對(duì)分子質(zhì)量增大，D錯(cuò)誤；

答案選A。