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C₃N₄和Sl₃N₄晶體中結構相似，是新型的非金屬高溫陶瓷材料，下列說法正確的是
（）

A．C₃N₄和Sl₃N₄晶體中N的化合價為+3價

B．C₃N₄和Si₃N₄晶體中含有共價鍵

C．C₃N₄晶體的硬度比Si₃N₄晶體的硬度小

D．C₃N₄和Si₃N₄晶體均為分子晶體

略

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是: （）

A．能與酸反應的氧化物，一定是堿性氧化物

B．SiO₂晶體中，1個Si原子與2個O原子形成兩個共價鍵

C．分子晶體中分子間作用力越大，其分子越穩(wěn)定

D．分子晶體溶于水時，分子中的化學鍵可能被破壞

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為 ▲ 。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為 ▲ 。在四大晶體類型中，GaN屬于 ▲ 晶體。
⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有 ▲ 的原子或離子

⑶CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是   ▲ 。
②SO₂分子的空間構型為 ▲ 。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學式為 ▲
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是 ▲  。
④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有   ▲  。
a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結構如上圖所示，其中Cl原子的配位數為 ▲ 。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（選做題）（物質結構與性質）（8分）已知A、B、C、D、E、F都是短周期的元素，它們的原子序數依次遞增。A原子的電子層數與它的核外電子總數相同，而B原子的最外層電子數是次外層的2倍，C的氫化物可使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍，B和D可以形成兩種氣態(tài)化合物，E原子核外電子總數比B的2倍少1，F在本周期元素中原子半徑最小。則：
（1）A、B、C、D、E、F的名稱分別是                                。
（2）在A至F中任選元素，寫出一種含極性鍵的非極性分子的分子式         ，寫出一種含非極性鍵的離子化合物的電子式                      。
（3）由B和D組成，且B和D的質量比為3∶8的化合物的結構式是         ，
該化合物分子中B原子的雜化方式為
（4）E和F形成的化合物為     晶體。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（4分）把CoCl溶解于水后加氨水直到先生成的Co（OH）₂沉淀又溶解后，生成[CO(NH₃)₆]²⁺。此時向溶液中通入空氣，得到的產物中有一種其組成可用CoCl₃·5NH₃表示。把分離出的CoCl₃·5NH₃溶于水后立即加硝酸銀溶液，則析出AgCl沉淀。經測定，每1molCoCl₃·5NH₃只生成2molAgCl。請寫出表示此配合物結構的化學式：；此配合物中的Co化合價為。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題