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（8分）已知Ni_XO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型（見19題圖），由于晶體缺陷，x值于小于1。測知Ni_XO晶體密度ρ

為5. 71g·cm^－³，晶胞邊長為4.28×10^－¹⁰m（Ni的相對原子質(zhì)量為58.7，O的相對原子質(zhì)量為16）。求：（已知：4.28³="78.4 "

=1.4）
（1）晶胞中兩個Ni原子之間的最短距離___________（精確至0.01）。
（2）與O²^－距離最近且等距離的Ni離子圍成的幾何體形狀_______
（3）求Ni_XO中x值為_________（精確至0.01）。
（4）晶體中的Ni分別為Ni²^﹢、Ni³^﹢，求此晶體的化學(xué)式_________。

(8分)

略

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)，性質(zhì)體現(xiàn)結(jié)構(gòu)。對結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的研究是學(xué)好化學(xué)的基礎(chǔ)。
（1）下列4種物質(zhì)熔點沸點由高到低排列為______________（填序號）
①金剛石（C—C） ②晶體硅（Si—Si） ③金剛砂（Si—C）
（2）某晶體的晶胞如圖所示，X位于體心，Y位于４個面心，Z位于８個
頂點，該晶體中 X、Y、Z的粒子個數(shù)比為______________；

（3）按所示格式填寫下表有序號的表格：

原子序數(shù)	原子價層電子排布	周期	族
17	①	第三	②
③	3d⁵4s¹	④	ⅥB

（4）某元素的激發(fā)態(tài)原子的電子排布式為1s2s2p3s3p4s，則該元素基態(tài)原子的電子排布式為；其最高價氧化物對應(yīng)的水化物的化學(xué)式是。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列有關(guān)物質(zhì)的熔點的比較中，不正確的是

A．晶體Si < 金剛石

B．CO₂ < SiO₂

C． NaCl < NaBr

D． PH₃< NH₃

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

在超高壓下，科學(xué)家用激光器將CO₂加熱到1800K，成功制得了類似石英的CO₂原子晶體。下列關(guān)于CO₂原子晶體的敘述中不正確的是
A．晶體中C、O原子個數(shù)比為1∶2 B．該晶體的熔沸點、硬度都高于石英
C．晶體中含有“CO₄”的結(jié)構(gòu)單元 D．晶體中最小的原子環(huán)為六元環(huán)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

某物質(zhì)的晶體內(nèi)部一個截面上原子的排布情況如右圖

所示，則該晶體的化學(xué)式可表示為

A．AB B． A₂B 　　
C．AB₂ D．A₃B

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

晶體硅是信息科學(xué)和能源科學(xué)的一種重要材料，可用作制芯片和太陽能電池等。下列流程圖是工業(yè)上制取純硅的一種方法：

請回答下列問題：（各元素用相應(yīng)的元素符號表示）
（1）在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應(yīng)的有（填反應(yīng)的代號“I~IV”）
（2）A、B、C三種氣體，在上述生產(chǎn)過程中可循環(huán)利用的是      ；在“節(jié)能減排”中作為減排目標(biāo)的一種氣體是              。
（3）化合物甲的用途很廣，有些已應(yīng)用于高、精、尖科技領(lǐng)域。通常可作建筑工業(yè)和造紙工業(yè)上的黏合劑，可作肥皂的填料，是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一定比例混合加熱至1373~1623K反應(yīng)生成化合物甲，其化學(xué)方程式為                     。
（4）利用反應(yīng)III能制得純硅的原因是                            。
（5）已知反應(yīng)IV中產(chǎn)物的總能量比反應(yīng)物的總能量低，則在密閉容器內(nèi)反應(yīng)IV建立平衡，改變下列的一個條件，氣體B的物質(zhì)的量增大的是           。
a．縮小容器的容積
b．降低反應(yīng)體系的溫度
c．加入少量NaOH固體（生成物在此溫度下不分解）
d．加入少量催化性能更好的催化劑
（6）金屬鎳（Ni）與氣體A能形成常溫下為液態(tài)的Ni（A）₄、利用Ni（A）₄的生成與分解可以制得純度很高的納米鎳，寫出Ni（A）₄在423K分解的化學(xué)方程式

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)按沸點降低順序的一組是