Question

【題目】決定物質性質的重要因素是物質結構．請回答下列問題．

（1）已知A和B為第三周期元素，其原子的第一至第四電離能如表所示：

電離能/kJmol﹣1	I1	I2	I3	I4
A	578	1817	2745	11578
B	738	1451	7733	10540

A通常顯價，B元素的核外電子排布式為 ．
（2）實驗證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結構與NaCl晶體結構相似（如圖1所示），已知3種離子晶體的晶格能數據如表：

離子晶體	NaCl	KCl	CaO
晶格能/kJmol﹣1	786	715	3401

則該4種離子晶體（不包括NaCl）熔點從高到低的順序是 ． 其中MgO晶體中一個Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+有個．
（3）金屬陽離子含未成對電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好．離子型氧化物V2O5和CrO2中，適合作錄音帶磁粉原料的是 ．
（4）某配合物的分子結構如圖2所示，其分子內不含有（填序號）．
A.離子鍵
B.極性鍵
C.金屬鍵
D.配位鍵
E.氫鍵
F.非極性鍵．

Answer 1

【答案】
（1）+3；1s22s22p63s2
（2）TiN＞MgO＞CaO＞KCl；12
（3）CrO2
（4）AC
【解析】解：（1）A的I4電離能突然增大，說明最外層有3個電子，應為Al，B的I3電離能突然增大，說明最外層有2個電子，應為Mg，Al的正化合價為+3價，Mg的核外有12個電子，分三層排布，其電子排布式為：1s22s22p63s2；所以答案是：+3；1s22s22p63s2；（2）離子晶體中晶格能越大，形成的離子晶體越穩定，熔點越高硬度越大，晶格能與離子的半徑、電荷有關，電荷越多、離子半徑越小，晶格能越大，TiN中陰陽離子所帶電荷為3，大于其它離子所帶電荷，MgO、CaO中所帶電荷相同，但鎂離子半徑小于鈣離子半徑，氯化鉀中陰陽離子所帶電荷為1，且鉀離子半徑＞鈣離子半徑，氯離子半徑大于氧離子半徑，所以KCl、MgO、CaO、TiN4種離子晶體熔點從高到低的順序是TiN＞MgO＞CaO＞KCl； MgO的晶體結構與NaCl的晶體結構相似，所以一個Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+個數為12．所以答案是：TiN＞MgO＞CaO＞KCl；12；（3）V2O5中V的最外層電子全部失去或成鍵，CrO2中Cr失去4個電子，離子的最外層電子為2，為成對，離子含未成對電子越多，則磁性越大，則適合作錄音帶磁粉原料的是CrO2 ， 所以答案是：CrO2；（4）該配合物中存在的化學鍵有：非金屬元素之間的共價鍵，鎳元素與氮元素之間的配位鍵，氧原子和氫原子之間的氫鍵，故選AC．所以答案是：AC．